半导体材料

直拉硅单晶

直拉硅单晶(CZ-Silicon

/轻掺直拉硅单晶适用于制作各类集成电路、二极管、 三极管、绿色能源太阳能电池等。可掺入特殊元素例如镓(Ga)、锗(Ge),制作出特殊器件需要的高效、抗辐射、抗衰减的 太阳能电池用材料。

磁场直拉硅单晶(MCZ

将磁场用于直拉工艺,生产出具有低氧含量、高电阻率均匀性的直拉单晶,适用于制作各类集成电路器件、各类分立器件,低氧太阳能电池的硅材料。

重掺杂硅单晶(CZ heavily doped crystal

采用特殊掺杂装置及直拉工艺,可制备出电阻率极低的掺磷、砷、锑(PSbAs)的重掺直拉硅单晶,主要用作外延片的衬底材料,用于制造超大规模集成电路开关电源、肖特基、二极管和场控高频电力电子器件等特殊电子器件。

<110>特殊晶向直拉硅单晶

<110>硅单晶产品具有原始晶向<110>,不需二次加工调整晶向,具有晶格结构完美,氧碳含量低等特点,是一种新型的太阳能电池材料,也可以用于新一代电池材料。

 

直拉硅单晶规格

CZ monocrystalline silicon specification

单晶种类

导电类型

晶向

直径(mm)

电阻率(Ω·cm)

直拉(CZ

N&P

<100>

<110>&<111>

76.2-200

1-300

磁场直拉(MCZ

N&P

<100>

<110>&<111>

76.2-200

1-300

重掺杂

N&P

<100>&<111>

76.2-200

0.001-1

硅片规格

Wafer specification

 

直径(mm

厚度(um

硅片

76.2-200

160

 

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