半导体材料

区熔硅单晶

本征及超高阻区熔硅单晶(FZ-Silicon

通过区熔工艺拉制的低杂质含量、低缺陷密度,晶格结构完美的硅单晶,晶体生长过程中不引入任何杂质,其电阻率通常在1000Ω•cm 以上,主要用于制作高反压器件和光电子器件。

中子辐照区熔硅单晶(NTDFZ-Silicon

本征区熔硅单晶通过中子辐照可获得高电阻率均匀性的硅单晶,保证了器件制作的成品率和一致性。主要用于制作硅整流器(SR)、可控硅(SCR)、巨型晶体管(GTR)、晶闸管(GRO)、静电感应晶闸管(SITH)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、超高压二极管(PIN)、 智能功率器件(SMART POWER)、功率集成器件(POWER IC)等,是各类变频器、整流器、大功率控制器件、新型电力电子器件的主体功能材料,也是多种探测器、传感器、光电子器件和特殊功率器件等的主体功能材料。

气相掺杂区熔硅单晶(GDFZ-Silicon

利用杂质的扩散机理,在用区熔工艺拉制硅单晶的过程中加入气相杂质,从根本上解决了区熔工艺掺杂困难的问题,可得到N型或P型、电阻率范围0.001-300Ω.cm,电阻率均匀性与中子辐照相当的气掺硅单晶,其电阻率在适用于制作各类半导体功率器件、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、高效太阳能电池等。

直拉区熔硅单晶(CFZ-Silicon

采用直拉与区熔两种工艺相结合的方式拉制硅单晶,产品质量介于直拉单晶和区熔单晶之间。可掺入特殊元素例如镓(Ga)、锗(Ge)等。采用直拉区熔法制备的新一代CFZ太阳能硅片,其各项性能指标均远优于当前全球光伏产业使用的各类硅片,太阳能电池转换效率高达24-26%。产品主要应用于特殊结构、背接触、HIT等特殊工艺制作的高效太阳能电池上,并更为广泛的用于LED、功率器件、汽车、卫星等众多产品和领域中。

 

区熔硅单晶规格

FZ monocrystalline silicon specification

单晶种类

导电类型

晶向

直径(mm)

电阻率(Ω·cm)

高阻

N&P

<100>&<111>

76.2-200

1000

中子辐照(NTD

N

<100>&<111>

76.2-200

30-800

直拉区熔(CFZ

N&P

<100>&<111>

76.2-200

1-50

气相掺杂(GD

N&P

<100>&<111>

76.2-200

0.001-300

硅片规格

  Wafer specification

 

直径(mm

厚度(um

硅片

76.2-200

160

 

 

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